中信证券研报指出，预计2025年第三季度主流、利基存储价格有望全面上涨 ，叠加消费类传统旺季 ，看好存储厂商第三季度表现。1）DDR4涨价 、NOR Flash涨价逻辑下，我们重点推荐存储芯片设计龙头；此外 ，建议关注存储模组分销商 。2）部分DDR4价格大涨后超过DDR5价格 ，叠加原厂逐步退出DDR4，DDR5渗透率有望加快提升 。
全文如下存储｜三季度利基存储涨势扩大 ，看好供应链表现（2025年7月）
我们预计25Q3主流 、利基存储价格有望全面上涨 ，叠加消费类传统旺季，我们看好存储厂商Q3表现。1）DDR4涨价、NOR Flash涨价逻辑下，我们重点推荐存储芯片设计龙头；此外 ，我们建议关注存储模组分销商 。2）部分DDR4价格大涨后超过DDR5价格 ，叠加原厂逐步退出DDR4，我们认为DDR5渗透率有望加快提升 。
▍一 、价格回顾（Bloomberg ，CFM闪存市场）
DRAM：DDR5温和上涨 ，DDR4受原厂加速减产影响涨幅超预期。1）DDR5：6月现货价格环比+0~+5%，7月至今保持低个位数涨幅 。颗粒现货和合约价格保持温和上涨 。2）DDR4：6月现货价格环比+21~+100% ，7月至今-5%~+5%。海外三大DRAM原厂聚焦高利润率的DDR5 、HBM ，陆续宣布PC/Server用DDR4以及Mobile用LPDDR4X进入EOL(end of life，生命周期结束) ，Trend Force预计最后出货时间为2026年初。
NAND Flash：原厂减产效果已显现 ，价格基本企稳 。6月NAND Flash(Wafer) TLC价格环比基本持平，QLC价格小幅下滑 。海外大厂自2024年12月以来陆续公告减产10%~15% ，同时加快将产能向200层以上产品迁移 ，进而减少低价产品的供应量，行业供需在25H1加速平衡。需求方面，北美CSP厂商持续投入 ，AI服务器带动企业级SSD需求持续提升 。
模组：7月价格波动相对较小 ，内存条持平微增，SSD部分回落 。1）内存条：7月DDR4/DDR5行业、渠道市场价格持平或个位数上涨。2）SSD：7月渠道市场价格个位数回落 ，行业市场价格稳定 。3）移动存储：7月消费市场需求整体稳定 ，UFS 、eMMC价格持平 。
▍二 、价格展望：预计25Q3 DDR5、NAND温和上涨，DDR4合约价涨幅扩大 ，NOR、SLC NAND开启涨势。
1）DRAM：我们预计在企业级需求旺盛 、消费电子旺季下DDR5价格有望保持温和上涨 ，TrendForce预测，25Q3 DDR5/LPDDR5X合约价格涨幅3%~10% 。DDR4在三大DRAM原厂陆续宣布PC/Server用DDR4以及Mobile用LPDDR4X进入EOL ，市场继续积极备货 ，叠加传统旺季，TrendForce预测 ，25Q3 DDR4/LPDDR4X合约价格涨幅将扩大至23%~45% 。
2）NAND Flash：上半年在原厂持续减产下供需关系已经明显改善 ，且AI服务器需求持续旺盛，根据TrendForce，25Q3 NAND Flash平均合约价格涨幅5%~10%。
3）利基存储：对于NOR Flash ，台系厂商大容量NOR受益AI服务器需求存在结构性缺货 ，Q3合约价上涨10%~15%，兆易创新已跟进；中小容量NOR静待大陆厂商明确 ，我们认为存在一定涨价可能性 。我们预计25Q3 NOR价格整体涨幅将达5%~10% 。对于SLC NAND Flash ，我们预计23Q3价格有望上涨10%。
▍三 、海外原厂业绩及预期：
25Q2美光科技、三星电子（存储业务） 、SK海力士营收环比均增长。分下游来看，消费类需求环比有所改善 ，企业级存储保持高景气度 。
1）SK海力士：公司预计25Q3 DRAM bit出货量环比+0%~+5％ ，NAND bit出货量环比有限增长；
2）三星电子：公司预计AI服务器需求保持强劲；
3）美光科技：公司预计服务器出货量有望保持中个位数增长，PC 、智能手机出货量保持低个位数增长 。下季度指引方面 ，美光预计FY25Q3（2025年6-8月）营业收入将达104~110亿美元（中值环比+15%） ，毛利率41%~43%区间（中值环比+4ppts）。
▍风险因素：
国际宏观政治经济波动；下游需求走弱；面板价格提升不及预期；行业竞争激烈；技术革新风险等；国际贸易摩擦风险；海外潜在关税风险 。
▍投资建议：
我们预计25Q3主流、利基存储价格有望全面上涨，叠加消费类传统旺季 ，我们看好存储厂商Q3表现 。1）DDR4涨价 、NOR Flash涨价逻辑下 ，我们重点推荐存储芯片设计龙头；此外，我们建议关注存储模组分销商。2）部分DDR4价格大涨后超过DDR5价格，叠加原厂逐步退出DDR4 ，我们认为DDR5渗透率有望加快提升 。
（文章来源：财联社）
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